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10nm工艺骁龙835首现身,同时支持最新快充4.0

作者:牧晓    栏目:要闻    来源:都市文化网    发布时间:2016-11-18 11:56

内容摘要:日前,高通公司宣告将与三星电子协作开发下一代旗舰级处置器骁龙835,据称835将采取三星最先进的10nm制作工艺。另外,高通表示835将赞同最新的快充技术QuickCharge4.0。据了解,今年10月份,三星就率先公布了10纳米工艺的量产...
10nm工艺骁龙835首现身,同时赞同最新快充4.0

日前,高通公司宣告将与三星电子协作开发下一代旗舰级处置器骁龙835,据称835将采取三星最先进的10nm制作工艺。另外,高通表示835将赞同最新的快充技术Quick Charge 4.0。

据了解,今年10月份,三星就率先公布了10纳米工艺的量产,与上代14纳米工艺对比,10纳米能够削减30%的芯片尺寸,同时提高27%的性能和下降40%的功耗。

借助10纳米工艺制程,高通骁龙835处置器具有更小的SoC尺寸,让OEM厂商能够进一步优化移动设备的机身内部构造,好比增加电池或是完成更轻浮的设计等等。另外,制程工艺的提高也会改良电池续航能力。

如今骁龙835已经投入生产,估计搭载骁龙835处置器的设备将会在2017年上半年陆续出货。

10nm工艺骁龙835首现身,同时赞同最新快充4.0

除过骁龙835处置器以外,高通还正式公布了全新的Quick Charge 4.0快充技术。

QC 4.0将会在前几代方案的基础上持续提高充电效率,官方称充电5分钟能够延伸手机应用时长5小时,充电效率比之前增加30%。另外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD(Power Delivery)的赞同,适配范围更普遍。

USB-PD是谷歌最新在安卓兼容性界说文档(Android Compatibility Definition Document)中参加的条目,谷歌强烈建议制作商不要应用Quick Charge这样的非标准性的USB-C充电方案,而是遵守USB-PD的技术规格。可是,跟随最新的QC4.0已经赞同USB-PD,谷歌所说的“非标准充电”也就不再有用。

值得一提的是,高通还强调QC 4.0应用了智能协商最好电压(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,INOV)算法和热管理技术。该技术的最大特色在于,通过智能管理设备的充电电量,能有用避免过热问题,从而大大削减充电时爆炸的风险。

高通表示,一切应用Snapdragon 835的手机将取得三级电流和四级电压保护,以免过热。另外,和上一代技术对比,Quick Charge 4.0也将让手机温度下降高达5摄氏度。

业内人士猜想,此次高通与三星协作研发,极也许意味着三星下一代旗舰机型Galaxy S8将首发骁龙835,而更重要的是,应用了QC 4.0的S8将比Note7更安全。

第二是有拍卖公司拍卖高仿品,在主棺南面出土了大批玉片玉饰。辖区觉拉乡境内的黑佛塔被造孽份子盗掘。

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